汽车电子应用 - 功率器件

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

2020-2-21 17:22:00 高功率密度

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计，在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低传导损耗。

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Vishay推出经AEC-Q200认证的厚膜高功率电阻，减少元件数量，降低成本

2020-2-21 17:17:00 厚膜高功率电阻,成本

Vishay推出市场上首款经AEC-Q200汽车级认证的高功率电阻LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800，可直接安装在散热器上，具有高功率和更强的脉冲处理能力。

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英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

2020-2-18 13:47:00 电源管理设计,封装概念

英飞凌已推出第一批基于“源极底置”封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。

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纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

2020-2-17 12:39:00 氮化镓,充电器

小米集团和纳微宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。GaNFast功率IC使用氮化镓，运行速度比以前的硅电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。

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全新600 V CoolMOS™ PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

2020-2-17 12:25:00 功率密度,特定照明

英飞凌科技股份公司进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率驱动和特定照明应用。

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Vishay推出采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET

2020-2-12 1:38:00 导通电阻,功率密度

Vishay推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET——SiSS05DN，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。

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Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

2020-2-11 15:00:00 单体封装,提高能效

Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的SiR680ADP，专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积。

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借助Littelfuse栅极驱动器评估平台加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期

2020-2-5 15:46:00 电源转换器,设计周期

Littelfuse今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)，可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件。

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TE Connectivity推出新型TV-8 负载标准OJT 10A功率继电器

2020-1-21 15:33:00 继电器,电流

TE推出新型TV-8负载标准、10A 额定电流的OJT系列继电器，可承受高达117A的冲击电流，既可满足市场对耐冲击电流能力的需求，同时又不会牺牲宝贵的PCB空间。

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罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

2020-1-20 13:18:00 碳化硅晶圆,供应协议

罗姆和意法半导体宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。

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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关SiC功率模块提供支持

2020-1-15 16:09:00 碳化硅,功率模块

CISSOID为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。

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宜普电源转换公司推出基于eGaN® 技术的ToF演示板

2020-1-14 13:10:00 车规级,快速转换

EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的速度，驱动二极管、VCSEL或LED，而且具有小尺寸、低能量及低成本等优势。

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TRENCHSTOP™ IGBT7采用EconoDUAL™ 3封装带来出色的900 A额定电流

2020-1-7 13:34:00 TRENCHSTOP,EconoDUAL,额定电流

TRENCHSTOP™ IGBT7与标准工业封装EconoDUAL™ 3相结合。通过采用这种最新芯片技术，这款1200 V模块可提供业内领先的900 A额定电流，相比上一代技术，同样规格产品的逆变器输出电流值可提高30％。

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宜普电源转换公司（EPC）于CES 2020展览展示基于氮化镓技术的应用

2020-1-2 11:00:00 氮化镓技术,消费电子应用

宜普电源转换公司将在CES 2020为工程师展示eGaN®技术的庞大潜力，包括全自动驾驶汽车、机器人、无人机、无线电源、世界第一流的音频系统及车载解决方案。

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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

2019-12-26 11:23:00 车载应用,紧凑型封装

东芝电子元件及存储装置株式会社推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET，包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。

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东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并简化设备设计

2019-12-23 16:44:00 东芝,电压谐振电路,降低功耗

新款IGBT在设备开机时能抑制通过谐振电容的短路电流。其电路电流[4]峰值为129A，比当前产品[3]低31%。由于其安全工作范围扩大，相对于当前产品[3]而言，设备设计也有所简化。

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Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

2019-12-11 16:42:00 Vishay,共漏极双N沟道,提高效率

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。器件适用于24 V系统双向开关，最佳RS S(ON)典型值低至10 m，单位面积RS-S(ON)达业内最低水平。

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英国科学家发现砷化镓存不稳定性或可为汽车等研发更好的电子产品

余秋云 2019-12-3 10:59:00 半导体材料,砷化镓

研究人员利用卡迪夫大学物理与天文学院和复合半导体研究所最先进的设备，发现砷化镓的原子结构存在小块的不稳定性，而且此种不稳定性一会出现，一会消失。这是首次在砷化镓表面观察到此种“亚稳态”现象。

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Vishay推出的新款交流和脉冲薄膜电容器适用于电动汽车

2019-11-25 16:41:00 Vishay,脉冲薄膜电容器,电动汽车

汽车级金属化聚丙烯薄膜器件工作温度高达+125°C，适用于混合动力和电动汽车

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Cree和意法半导体提高现有碳化硅晶片供货协议总价并延长协议期限

2019-11-22 15:09:00 Cree,意法半导体,碳化硅晶片

意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“提高与Cree的长期晶片供货协议总价将让我们的碳化硅衬底全球供给变得更加灵活。我们从汽车和工业客户那里赢得的项目越来越多，需要在未来几年内提高SiC产品的产量，这份延长协议将为我们的衬底总供给量提供更多保障。”

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