Vishay新款FRED Pt® Ultrafast整流器可大幅提高设备可靠性
2018-3-21 17:09:00 可靠性,体积小
整流器体积小，正向电流大，VS-6DKH02-M3和VS-6DKH02HM3的正向电流为6A (2x3A)，VS-8DKH02-M3和VS-8DKH02HM3的正向电流为8A (2 x 4A)。独立的单元设计，器件可以配置成双管芯式整流器，用单片封装取代两个较小的封装，帮助设计者简化PCB布板。
Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
2018-3-19 15:18:00 碳化硅,优化设计
这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度，这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源产品组合
2018-3-9 13:26:00 驱动器,电源产品
凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片（WCSP）封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗，进一步提升效率。
ADI隔离驱动器板加快产品上市时间
2018-3-8 11:45:00 缩减成本,高效率,高性能
该高功率评估板使得Microsemi的SiC功率模块能够提供诸多优势，例如：通用测试台，提供更高功率密度以缩减尺寸和成本，通过隔离导电衬底和最小寄生电容实现更高的效率、性能和出色的热管理。
纳微半导体分享GaN功率IC带来的革新性效能
2018-1-29 14:13:00 革新性,提高速度,专业知识
在四十多年来一直采用慢速且低效的硅组件之后，现时电力电子产业正进入一个令人兴奋的新材料、新器件、新磁学、新控制器及富有想象力的拓朴的新时代。纳微非常期待在氮化镓组件中实现功率、驱动和逻辑的单片化集成。
Vishay相继推出多款新型车规产品
2018-1-16 10:03:00 自动驾驶,娱乐信息系统,制造工艺
Vishay的汽车级器件在工程技术和制造工艺上精益求精，目标是零缺陷，超过AEC认证标准。通过AEC认证的Vishay产品包括众多分立半导体和无源元件，为了能提供良好的耐高温性能、小封装、超薄、长期可靠性和强大的设计能力，这些产品都进行了优化。
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第2部分
2017-12-19 10:31:00 元件数量,尺寸,间隙
这个看似速效的项目注入了很多设计和想法。从上面可以猜到，为简化浏览，我决定创建一个没有内层的双层电路板。不过，这意味着在布局上需要投入更多心思。同样，分立式栅极驱动器上的栅极驱动设置组件和集成式栅极驱动器上的IDRIVE引脚组件需要进行调整，以便从外部FET获得可接受的上升和下降次数。
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第1部分
2017-12-19 10:16:00 高功率,高效率
栅极驱动器充当MCU的逻辑域与MOSFET和电动机的功率域之间的转换器。有两种可以实现这种转换器的架构：分立式栅极驱动器和集成式栅极驱动器。分立式驱动器提供最高的电源电压支持和最优的性能，但需要更多的组件并且缺乏保护功能。集成式驱动器为电机驱动器提供更具针对性的解决方案，但不会提供电压支持或分立式栅极驱动器的超高性能。
Vishay新款高功率薄膜片式电阻可降低成本并节省空间
2017-11-30 17:01:00 可靠性,节省空间,稳定性
MCS 0402 HP、MCT 0603 HP和MCU 0805 HP是现代电子产品在大多数场景的绝佳之选，在这些产品中，功率耗散、可靠性、稳定性和可靠设计是首要考虑因素。典型应用包括DC/DC转换器，电源、电机和电子控制单元，逆变器，以及测试和测量设备。
探索高压输电——电压源换流器
2017-11-28 9:57:00 模块化,稳定性
VSC实现了电流的双向流动，更易于反转功率流方向。VSC可以控制AC侧的有功和无功功率。VSC不像LCC那样依赖于AC网络，因此它们可以向无源负载供电并具有黑启动能力。
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
2017-11-28 9:49:00 功率密度,效率
与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
现在就实现 IEEE 802.3bt 71W PoE 标准
2017-11-24 16:02:00 高效率,可用功率
高功率 PD 设计最重要的方面通常是成本和效率，这在很大程度上受到选择用于实现 PD 接口之 IC 的影响。此外，从事空间受限型设计的开发人员还痛苦地意识到怎样限制 PD 的尺寸只会成为更大的挑战，原因是较高的功率水平需要使用较大的分立组件和较大的散热器。
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准
2017-11-24 15:56:00 稳固性,高功率
这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。
QORVO®扩展无线基础设施产品组合覆盖所有5G频段
2017-10-25 10:30:00 扩展,高性能,数据传输
Qorvo无线基础设施解决方案涵盖的范围原本便已非常广泛，包括线性驱动放大器和可变增益放大器、低噪声放大器、增益模块、滤波器、衰减器、开关和集成前端模块等技术和产品，最近推出的这一产品系列则进一步扩大了Qorvo无线基础设施解决方案的产品范畴。
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中实现超高速切换
2017-10-18 13:27:00 耐用性,感应,高速
相比具有相同额定值的硅器件，碳化硅MOSFET系列产品的能效更高，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。 即便在高温（150°C）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。
英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管
2017-10-9 10:36:00 英飞凌,功率器件
英飞凌科技股份公司日前推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。
英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管
2017-9-29 17:38:00 英飞凌,开关速度
第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统，内部结构也与上代产品完全不同。
英飞凌扩大业界领先的智能功率开关产品系列
2017-7-28 13:28:00 英飞凌,智能功率开关
推出PROFET™+2和大电流PROFET™提高能源效率并实现小型化设计汽车制造商希望车载电子系统能在尽可能小的空间大幅提高能源效率。日前，英飞凌科技股份公司依托全新功率IC制造技术SMART7大力支持这一发展趋势。
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
2017-5-31 10:26:00 ST,汽车级功率MOSFET,微型封装
意法半导体日前推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。
4SEE系列自动化平台用于汽车功率器件缺陷检测
2017-5-15 10:14:00 自动化平台,汽车,功率器件
UnitySC日前宣布，收到一个集成设备制造商（IDM）龙头企业对模块化 4See 系列自动化缺陷检测平台的多个订单。选择这些系统是因为它们提供最佳的晶片薄化和金属化后背面和边缘缺陷检测。功率半导体制造市场领导者将把 4See 系列用于汽车领域，以改善产品的可靠性和性能。
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恩智浦新型车载回声消除及降噪解决方案使通话更清晰
回声和噪声使行驶途中的通话变得困难。新型恩智浦ECNR解决方案通过在驾驶舱中消除回声和过滤不必要的噪声解决这两方面问题，从而提高通话音质。ECNR解决方案可以移植到恩智浦相关芯片上，并已通过ITU-T P1110和CarPlay®预认证，因此可以降低汽车制造商的研发费用并缩短设计周期。- 更多...
MathWorks 发布包含 MATLAB 和 Simulink 产品系列的 Release 2018a
R2018a 包括两个新产品：用于设计和测试状态监控和预测性维护算法的 Predictive Maintenance Toolbox，集成了三维虚拟环境的车辆动态性能建模和仿真工具箱 Vehicle Dynamics Blockset。
