汽车电子应用 - 功率器件

Vishay推出的新型光耦在实现高断态电压的同时，还可满足高稳定性和噪声隔离要求

2019-4-17 16:46:00 Vishay,高断态电压

Vishay推出两款全新系列采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装的光可控硅输出光耦--- VOT8025A和VOT8125A，进一步扩展其光电产品组合，具有高稳定性和噪声隔离能力，适用于家用电器和工业设备。

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Vishay推出的新款高精度电池分流器改进RTC性能

2019-4-11 16:42:00 Vishay,电池分流器

Vishay Dale器件采用独有加工工艺实现极低阻值，支持大电流。器件适用于汽油、柴油、混合动力和电动汽车和卡车以及电动叉车、大型UPS系统和其他重型工业应用的电池管理。

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英飞凌推出业界首个面向新一代AI和5G网络的1000 A直流稳压器解决方案

2019-4-3 14:10:00 直流稳压器,功率密度设计

随着CPU电流要求不断提高，以支持新一代人工智能和网络工作负载，直流-直流稳压器（VR）需要提供超过500 A的电流，借助16相数字PWM引擎和经优化的高级算法，XDPE132G5C控制器可以满足这些大电流多相应用的电源需求。

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Vishay推出适用于Class X1 / Y1应用的陶瓷盘式电容器

2019-3-26 15:41:00 Vishay,电容器

Vishay宣布，推出新系列汽车级交流线路陶瓷盘式安规电容器---AY1系列，新款电容器是业内此类器件中首款通过AEC-Q200认证的产品，适用于Class X1 (760 VAC) / Y1 (500 VAC)应用，符合IEC 60384-14.4标准。

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大晶磊半导体,中高压碳化硅MOSFET驱动方案

2019-3-26 10:13:00 碳化硅,驱动设计

半导体功率器件的未来主流将被替代为碳化硅器件的趋势已经非常明显，光伏发电、新能源汽车车载充电器、新能源汽车充电桩这几个领域，碳化硅器件已经占据了相当的市场，接下来碳化硅器件将逐步更多的应用到UPS、电机驱动、牵引、电网等方面。

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意法半导体的先进IGBT可提高家电感应加热效率

2019-3-25 15:48:00 IGBT,意法半导体

意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWERIGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。

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宜普电源转换公司（EPC）推出100 V氮化镓（eGaN®）功率晶体管

2019-3-19 15:56:00 EPC,晶体管

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A 以支持高效功率转换。

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TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器

2019-3-18 17:00:00 TI,驱动器

德州仪器(TI)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器，它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑坚强的保护屏障，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率。

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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET

2019-3-7 13:18:00 鸥翼引线结构,降低成本

Vishay推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET:SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装，有效提升板级可靠性。

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MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线网络建设

2019-3-1 15:39:00 提高产能,5G无线网络

MACOM将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产，以支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。

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在DAQ应用中使用非隔离DC/DC电源降压模块的优势

2019-2-28 18:04:00 降压模块,系统性能

本文将介绍与分立电源解决方案相比，电源模块帮助提高DAQ性能的一些方法，DAQ应用中的电源模块还可提高系统性能和可靠性，减少设计工作，并帮助设计人员优化电路板空间。

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Vishay推出用于多相电源具有低直流电阻、高电流密度的高饱和IHSR电感器

2019-2-28 14:48:00 电感器,高电流密度

Vishay扩展IHSR系列高饱和商用电感器，推出了最新IHSR-1616AB-01器件，专为计算机、工业和通信应用多相大电流电源及滤波器而设计。

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碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

2019-2-28 11:48:00 碳化硅,失效分析

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

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宜普电源转换公司（EPC）第十阶段可靠性测试报告的亮点

2019-2-27 12:13:00 可靠性,测试报告

继第一至第九阶段可靠性测试报告后，EPC公司的第十阶段可靠性测试报告进一步丰富知识库。此报告对超过30,000个元件进行了超过1,800万小时的应力测试后，没有器件发生故障。

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增强的PFC控制器NCL2801用于照明应用提供更高能效和更优的THD

2019-2-26 19:15:00 最大化系统能效,设计灵活性

安森美半导体最新的NCL2801电流模式临界导通型 (CrM)功率因数校正(PFC) 升压控制器IC，适用于模拟/脉宽调制(PWM)可调光LED驱动器，其优化的总谐波失真(THD)性能，同时在宽负载条件下最大化系统能效。

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Qorvo®助力GAPWAVES推出第二代28GHz有源5G天线

2019-2-26 19:11:00 性能支持,低功耗

Qorvo®助力Gapwaves推出其最新第二代28GHz有源5G天线，采用 Qorvo GaN-on-SiC 技术，具有高 EIRP 和低功耗性能，同时还需保持良好的热操作性能。

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Vishay最新推出60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

2019-2-21 16:42:00 单体封装,功率转换

Vishay推出的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP，10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。

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支持紧凑型系统设计中的高效快速开关Infineon CoolGaN HEMT

2019-2-21 11:10:00 高效率,高功率密度

Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化镓 (GaN) HEMT提供高效率和高功率密度，帮助实现半导体电源的快速开关，经专门优化，可实现快速开通和关断，采用新拓扑和电流调制技术打造出了创新型开关解决方案。

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Vishay推出具有极长寿命的短波紫外线发光二极管

2019-2-19 13:19:00 极长寿命,石英透镜

Vishay推出陶瓷中功率短波紫外线 (UVC) 发光二极管VLMU35CM..-280-120，内嵌石英透镜，采用小型3.5 mm x 3.5 mm x 1.2 mm表面贴封装，使用寿命极长，可用于杀菌、消毒和净化。

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意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

2019-2-15 16:00:00 碳化硅,工业应用

意法半导体拟收购碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB的多数股权，此项收购将扩大意法半导体的碳化硅生态系统，并提高意法半导体制造活动的灵活性，适应汽车和工业应用市场的快速增长。

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