恩智浦推出适用于5G网络的全新高功率射频产品

恩智浦推出适用于5G网络的全新高功率射频产品

  2018-6-14 10:04:00   5G网络,高功率
5G连接涉及频谱扩展、更高阶位调制、载波聚合、全维波束赋形等关键技术,因此需要扩大技术基础才能支持增强移动宽带连接。根据频谱使用情况和网络占位空间,实施“多输入多输出”(MIMO)技术需采用四根(4TX)发射天线到64根甚至更多天线。
jjPLUS与EPC合作开发出大面积并同时对多个设备进行无线供电解决方案

jjPLUS与EPC合作开发出大面积并同时对多个设备进行无线供电解决方案

  2018-6-5 17:40:00   大面积,无线供电
从电动牙刷到最新的智能手机,磁感应无线充电技术备受关注,印证了无线电源已经可以被普遍采纳及可以改变我们的生活方式。磁共振技术可以在大面积范围传输电源、可随处放置设备并对多个设备同时供电(充电),为无线电源开启新时代。
Vishay新款大电流平面阻流电感以更小的体积提供与绕线电感相同的性能

Vishay新款大电流平面阻流电感以更小的体积提供与绕线电感相同的性能

  2018-6-5 10:40:00   占用体积,稳定性能
新型 IPLA 32 尺寸仅为31 mm×43 mm×22.2 mm,但其额定电流高达110 A,让大功率DC/DC转换器占用的体积更小。
650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

  2018-6-4 12:12:00   薄晶圆技术,自动化
全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求,适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。
英飞凌CIPOS™ Mini IPM助力低功率电机驱动系统提高效率

英飞凌CIPOS™ Mini IPM助力低功率电机驱动系统提高效率

  2018-6-4 12:08:00   低功率,驱动系统
较之传统的IGBT IPM,基于CoolMOS的CIPOS Mini IPM现在能显著降低导通和开关损耗。该IM51x系列旨在驱动高达600 W的电机。它们特别适用于经常在轻载条件下工作的系统。由于总功耗降低带来材料成本降低,所以客户能节省系统成本,同时保持总效率。
Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器

Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器

  2018-5-31 10:34:00   节省空间,汽车应用
VOMA617A的设计旨在适用于各种汽车应用(包括混合动力和电动汽车)和高可靠性工业应用中的电流隔离、噪声隔离、信号传输、电池管理和系统控制。该器件的电流传输比达到50%至600%。
美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

  2018-5-30 9:58:00   开发工作,完整系统
市场研究机构Technavio指出,面向全球半导体应用的SiC市场预计在2021年前达到大约5.405亿美元,年复合增长率(CAGR)超过18%。此外,IHS Markit的研究表明,预计SiC MOSFET器件到2025年将产生超过3亿美元营收,几乎达到肖特基二极管的水平,成为第二大畅销SiC分立功率器件类型。
美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供

美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供

  2018-5-30 9:24:00   碳化硅,工业应用,汽车市场
美高森美继续扩大其SiC产品系列的开发工作,已经成为向市场提供一系列Si / SiC功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。这些新一代SiC MOSFET器件非常适合工业 和汽车市场中的多种应用,它们也可用于医疗、航天、国防和 数据中心应用中的开关模式电源、光伏(PV)逆变器和电机控制。
UNITYSC在亚洲设立新的实体公司,以支持先进封装和功率器件市场

UNITYSC在亚洲设立新的实体公司,以支持先进封装和功率器件市场

  2018-5-25 16:24:00   实体公司,先进封装
UnitySC正在亚太地区不断发展,并且公司拥有足够人员以支持所有服务领域。本地团队包括工程师、经验丰富的应用工程师和客户服务人员,而且还能提供现场客户支持和协助。
关于征集亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议(2018年)论文稿件通知

关于征集亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议(2018年)论文稿件通知

  2018-5-22 16:06:00   征集论文稿件
为鼓励宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装和器件模块应用等领域理论和技术的学习与交流,会议将开展论文交流活动,欢迎国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用领域的专业技术人员投稿并与会交流。
首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(2018年)

首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(2018年)

  2018-5-22 15:57:00   大规模产业,协同创新
APCSCRM 2018会议将围绕宽禁带半导体材料(如SiC, GaN, AlN, 金刚石, Ga2O3等)生长技术、材料结构与物性、光电子和功率器件研发与应用以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研的相互合作和交流。
Littelfuse高温SCR开关型晶闸管兼具高达600V阻断电压和40A额定电流

Littelfuse高温SCR开关型晶闸管兼具高达600V阻断电压和40A额定电流

  2018-5-22 12:13:00   广泛应用,提高性能,关键优势
这一新系列为电路设计师提供高达600V阻断电压(VDRM)和4A至40A额定电流,支持广泛的应用。 通过为设计师提供比SCR早期型号更广泛的工作范围,该系列产品可在启动时耐受冷却不足的情况和更高的浪涌电流。
Vishay新款高速PIN光电二极管,为可穿戴设备实现超薄传感器设计

Vishay新款高速PIN光电二极管,为可穿戴设备实现超薄传感器设计

  2018-5-22 11:45:00   高速,辐照感光度,精确检测
运用Vishay成熟的晶圆技术,凭借尺寸达4.5mm²的感光面积,以及超高的辐照感光度(28μA的反向光电流和0.2 nA的暗电流),可在较广的光谱范围内检测从350纳米到1100纳米的可见光和近红外辐射。对于绿色LED,VEMD8080的灵敏度相较上一代解决方案的标准水平提高了30%。
纳微功率IC以小、轻、快实现充电通用电源系统

纳微功率IC以小、轻、快实现充电通用电源系统

  2018-5-21 22:37:00   通用电源,快速充电
最新GaNFast器件包括27W、45W、65W 和100W USB-PD充电器参考设计。这些功率IC器件将会实现只需充电五分钟即可提供五小时通话时间的快速充电器产品。
Vishay发布通过AEC-Q101认证的新款高压晶闸管和二极管

Vishay发布通过AEC-Q101认证的新款高压晶闸管和二极管

  2018-5-18 11:58:00   系统可靠性,抗扰能力
这些晶闸管和二极管可用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的50Hz/60Hz交流车载充电机的整流桥,电源功率范围从3kW到超过30kW。为防止涌入电流伤害整流桥,晶闸管可以提供软启动功能,从而避免使用电阻和大尺寸的机械式继电器,增加系统可靠性。
EPC通过与工程师交流推广其最新氮化镓技术

EPC通过与工程师交流推广其最新氮化镓技术

  2018-5-14 16:33:00   交流平台,氮化镓
这次会议是亚太区首次为器件科学家、电路设计师及应用工程师提供一个专业的交流平台,分享关于寬能隙技术发展、研发结果、开发经验及应用知识。
创新的自适应脉宽调制器为固定通/断时间可控的稳压器提供恒定开关频率

创新的自适应脉宽调制器为固定通/断时间可控的稳压器提供恒定开关频率

  2018-5-8 13:21:00   自适应,恒定频率
创新的自适应稳压器(AC/DC或DC/DC)脉宽调制器(PWM) ,基于“固定关断时间(FOT)”或“恒定导通时间(COT)”控制方法,可以在全工况下以恒定开关频率工作,无转换器的寄生参数的负面影响。此外,本文提出的调制器电路与转换器拓扑无关,只与功率开关管栅极驱动逻辑信号(GD)有关,节省芯片引脚数量,且/或降低设计复杂程度。
Vishay新款FRED Pt® Ultrafast整流器可大幅提高设备可靠性

Vishay新款FRED Pt® Ultrafast整流器可大幅提高设备可靠性

  2018-3-21 17:09:00   可靠性,体积小
整流器体积小,正向电流大,VS-6DKH02-M3和VS-6DKH02HM3的正向电流为6A (2x3A),VS-8DKH02-M3和VS-8DKH02HM3的正向电流为8A (2 x 4A)。独立的单元设计,器件可以配置成双管芯式整流器,用单片封装取代两个较小的封装,帮助设计者简化PCB布板。
Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

  2018-3-19 15:18:00   碳化硅,优化设计
这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器,扩展其GaN电源产品组合

TI推出业内最小、最快的GaN驱动器,扩展其GaN电源产品组合

  2018-3-9 13:26:00   驱动器,电源产品
凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度,LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片(WCSP)封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm,有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗,进一步提升效率。
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