Vishay推出的新型汽车级光电晶体管耦合器可节省能源和空间

Vishay推出的新型汽车级光电晶体管耦合器可节省能源和空间

  2020-3-11 15:09:00   Vishay,晶体管,能源
器件电流传输比(CTR)高,正向电流仅为1 mA,适用于汽车和高可靠性工业应用。
提升效率 马瑞利开发氮化镓充电技术

提升效率 马瑞利开发氮化镓充电技术

  2020-3-10 11:49:00   氮化镓,充电技术
日前,汽车零部件供应商马瑞利与半导体公司Transphorm达成战略合作,马瑞利将获得电动车和混动动力车领域的动力总成逆变器开发技术,以及车载充电器、电压转换器等产品,进一步完善新能源汽车技术领域的布局。
Vishay推出的新款汽车级IHDM电感器具有出色的感值及饱和稳定性

Vishay推出的新款汽车级IHDM电感器具有出色的感值及饱和稳定性

  2020-3-9 14:38:00   感值,饱和稳定性
Vishay推出一款新型IHDM汽车级边绕通孔电感器IHDM-1008BC-3A,采用铁粉磁芯技术,在-40 °C至+180 °C 苛刻的工作温度范围内,具有出色的感值和饱和稳定性,功耗低,散热性能优异。
意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

  2020-3-6 15:58:00   氮化镓,收购
意法半导体已经签署收购法国氮化镓(GaN)创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议,Exagan将继续执行现有产品开发规划,意法半导体将为其部署产品提供支持。
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

  2020-3-5 13:24:00   三相碳化硅,智能功率模块
CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台,新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案。
宜普电源转换公司将展示氮化镓(GaN)技术推动多个行业的功率传输转型

宜普电源转换公司将展示氮化镓(GaN)技术推动多个行业的功率传输转型

  2020-3-5 10:34:00   氮化镓,功率传输转
EPC团队将进行11场关于氮化镓技术及应用的演讲,并有多个终端客户最新的、基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的产品亮相。
Qorvo®推出业内最高性能的宽带 GaN 功率放大器

Qorvo®推出业内最高性能的宽带 GaN 功率放大器

  2020-3-3 14:12:00   灵活性,提高系统性能
Qorvo®, Inc.今日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)——TGA2962,专为通信应用和测试仪表应用而设计,拥有多项性能突破,为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性,同时减少了元件数量、占用空间和成本。
英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

  2020-3-3 14:09:00   功率密度,能效
对于MOSFET低频率开关应用而言,英飞凌科技股份公司新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。
微型电源:英飞凌首个专门针对汽车应用的倒装芯片投产

微型电源:英飞凌首个专门针对汽车应用的倒装芯片投产

  2020-3-2 15:18:00   倒装芯片,汽车应用
英飞凌创立了专门的倒装芯片封装生产工艺,完全符合汽车市场的高质量要求。英飞凌现推出首款相关产品:线性稳压器OPTIREG™ TLS715B0NAV50。
Vishay最新推出的TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻可大幅节省占位空间

Vishay最新推出的TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻可大幅节省占位空间

  2020-3-2 15:05:00   高精度,节省空间
Vishay推出节省空间的小型0402外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻,具有优异的长期稳定性—例如,在额定功率P70条件下,1,000小时最大阻值变化率≤ 0.05 %。
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  2020-2-21 17:22:00   高功率密度
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计,在10V下具有1.98mΩ的低导通电阻(RDS(ON)),可以最大限度地降低传导损耗。
Vishay推出经AEC-Q200认证的厚膜高功率电阻,减少元件数量,降低成本

Vishay推出经AEC-Q200认证的厚膜高功率电阻,减少元件数量,降低成本

  2020-2-21 17:17:00   厚膜高功率电阻,成本
Vishay推出市场上首款经AEC-Q200汽车级认证的高功率电阻LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800,可直接安装在散热器上,具有高功率和更强的脉冲处理能力。
英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

  2020-2-18 13:47:00   电源管理设计,封装概念
英飞凌已推出第一批基于“源极底置”封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

  2020-2-17 12:39:00   氮化镓,充电器
小米集团和纳微宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。GaNFast功率IC使用氮化镓,运行速度比以前的硅电源芯片快100倍,因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100%的充电。
全新600 V CoolMOS™ PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

全新600 V CoolMOS™ PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

  2020-2-17 12:25:00   功率密度,特定照明
英飞凌科技股份公司进一步扩展其CoolMOSTM产品组合,推出全新PFD7系列,适用于超高功率密度设计(如充电器和适配器等)以及低功率驱动和特定照明应用。
Vishay推出采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET

  2020-2-12 1:38:00   导通电阻,功率密度
Vishay推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET——SiSS05DN,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  2020-2-11 15:00:00   单体封装,提高能效
Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的SiR680ADP,专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积。
借助Littelfuse栅极驱动器评估平台加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期

借助Littelfuse栅极驱动器评估平台加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期

  2020-2-5 15:46:00   电源转换器,设计周期
Littelfuse今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV),可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件。
TE Con​​nectivity推出新型TV-8 负载标准OJT 10A功率继电器

TE Con​​nectivity推出新型TV-8 负载标准OJT 10A功率继电器

  2020-1-21 15:33:00   继电器,电流
TE推出新型TV-8负载标准、10A 额定电流的OJT系列继电器,可承受高达117A的冲击电流,既可满足市场对耐冲击电流能力的需求,同时又不会牺牲宝贵的PCB空间。
罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

  2020-1-20 13:18:00   碳化硅晶圆,供应协议
罗姆和意法半导体宣布,意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议, SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片,满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。
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