增强的PFC控制器NCL2801用于照明应用 提供更高能效和更优的THD

增强的PFC控制器NCL2801用于照明应用 提供更高能效和更优的THD

  2019-2-26 19:15:00   最大化系统能效,设计灵活性
安森美半导体最新的NCL2801电流模式临界导通型 (CrM)功率因数校正(PFC) 升压控制器IC,适用于模拟/脉宽调制(PWM)可调光LED驱动器,其优化的总谐波失真(THD)性能,同时在宽负载条件下最大化系统能效。
Qorvo®助力GAPWAVES推出第二代28GHz有源5G天线

Qorvo®助力GAPWAVES推出第二代28GHz有源5G天线

  2019-2-26 19:11:00   性能支持,低功耗
Qorvo®助力Gapwaves推出其最新第二代28GHz有源5G天线,采用 Qorvo GaN-on-SiC 技术,具有高 EIRP 和低功耗性能,同时还需保持良好的热操作性能。
Vishay最新推出60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

Vishay最新推出60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

  2019-2-21 16:42:00   单体封装,功率转换
Vishay推出的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP,10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。
支持紧凑型系统设计中的高效快速开关Infineon CoolGaN HEMT

支持紧凑型系统设计中的高效快速开关Infineon CoolGaN HEMT

  2019-2-21 11:10:00   高效率,高功率密度
Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化镓 (GaN) HEMT提供高效率和高功率密度,帮助实现半导体电源的快速开关,经专门优化,可实现快速开通和关断,采用新拓扑和电流调制技术打造出了创新型开关解决方案。
Vishay推出具有极长寿命的短波紫外线发光二极管

Vishay推出具有极长寿命的短波紫外线发光二极管

  2019-2-19 13:19:00   极长寿命,石英透镜
Vishay推出陶瓷中功率短波紫外线 (UVC) 发光二极管VLMU35CM..-280-120,内嵌石英透镜,采用小型3.5 mm x 3.5 mm x 1.2 mm表面贴封装,使用寿命极长,可用于杀菌、消毒和净化。
意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

  2019-2-15 16:00:00   碳化硅,工业应用
意法半导体拟收购碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB的多数股权,此项收购将扩大意法半导体的碳化硅生态系统,并提高意法半导体制造活动的灵活性,适应汽车和工业应用市场的快速增长。
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

  2019-2-15 15:57:00   工作效率,CMOS技术
Vishay扩展其光电产品组合推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器VOD3120A,采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。
MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块

MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块

  2019-2-14 14:42:00   功率放大器,高效设计
MACOM扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合,推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。
Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS®整流器

Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS®整流器

  2019-1-30 17:20:00   超薄封装,功率密度
Vishay推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件,采用更薄的SMF 封装,具有高正向电流的同时增加功率密度。
Vishay推出最新第四代600V E系列MOSFET器件

Vishay推出最新第四代600V E系列MOSFET器件

  2019-1-28 13:00:00   导通电阻,应用能效
Vishay第四代600 V E系列功率MOSFET器件导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案。
消除便携式设备的充电烦恼

消除便携式设备的充电烦恼

  2019-1-25 14:51:00   便携式设备,控制器
电源适配器不仅必须与USB PD兼容,还必须以合理的成本增加功率密度,一种新兴的解决现代电源适配器需求的拓扑结构是有源钳位反激 ,这使用可变频率,使零电压开关的超级结FET跨越多个负载和线性条件。
Vishay推出新款汽车级IHLP®电感器

Vishay推出新款汽车级IHLP®电感器

  2019-1-24 16:08:00   电感器,电流处理能力
Vishay 推出新款汽车级IHLP®薄形、大电流4040外形尺寸电感器-IHLP-4040ED-5A,符合AEC-Q200标准,降低了DCR、增强电流处理能力并提高电感量,可在发动机舱 +155 °C高温条件下连续工作。
宜普电源转换公司进一步扩大车规级氮化镓产品系列

宜普电源转换公司进一步扩大车规级氮化镓产品系列

  2019-1-24 14:09:00   车规级,降低成本
宜普电源转换公司宣布再多两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,EPC2206及EPC2212是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的分立晶体管,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。
意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

  2019-1-22 18:19:00   超结技术,可靠性
意法半导体最新的超结技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

  2019-1-21 18:32:00   MOSFET,安全性
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
罗姆Qi车载无线充电设计选用意法半导体NFC读取器IC和8位微控制器

罗姆Qi车载无线充电设计选用意法半导体NFC读取器IC和8位微控制器

  2019-1-17 12:40:00   参考设计,NFC非接触式通信
罗姆的车载无线充电模块参考设计基于该公司为推广汽车中控台无线充电应用而专门开发的15W Qi标准无线充电器IC BD57121MUF-M,选用了意法半导体的NFC读取IC和8位微控制器。
Vishay推出静态dV/dt为1000 V/μs的新型光耦

Vishay推出静态dV/dt为1000 V/μs的新型光耦

  2019-1-14 13:25:00   高稳定性,噪声隔离
Vishay推出两款全新系列光可控硅输出光耦,均采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装,进一步扩展光电产品组合,并且具有高稳定性和噪声隔离能力,适用于家用电器和工业设备。
Vishay推出业界领先车规产品

Vishay推出业界领先车规产品

  2019-1-11 13:00:00   车规产品
Vishay Intertechnology, Inc.将于2019 Automotive World日本国际汽车展上,展示其全面丰富的车规产品,包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。
Cree与意法半导体宣布签署碳化硅晶圆多年供货协议

Cree与意法半导体宣布签署碳化硅晶圆多年供货协议

  2019-1-10 17:35:00   碳化硅晶圆,供货协议
Cree有限公司与意法半导体签署协议,为后者生产和供应Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆,按照该协议的规定,Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。
基于GaN面向全自动驾驶汽车的高分辨率激光雷达技术

基于GaN面向全自动驾驶汽车的高分辨率激光雷达技术

  2019-1-2 18:21:00   无线电源,激光雷达
EPC公司基于氮化镓(GaN)器件主要应用于家居无线电源系统及全自动驾驶汽车的激光雷达系统(LiDAR),基于eGaN FET的激光雷达系统是业界领先的新兴技术,可作为自动驾驶汽车的“眼睛”。
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