SK启方半导体此次发布的新工艺，旨在应对电动汽车以及AI数据中心加速普及背景下，高电压、高效率功率半导体需求持续增长的市场环境。

通过此次授权，世界先进扩展其硅衬底氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺制程至高压应用领域，形成完整的GaN-on-Si平台。

合肥露笑拥有自主知识产权的晶体生长设备和核心技术，实现了从晶体生长到衬底加工的全产业链技术布局，并已建立起可重复的8英寸碳化硅衬底制造工艺体系，技术成熟度高。

瑞能微恩打造的6寸车规级功率半导体晶圆生产基地建设项目，总投资9.26亿元、建筑面积3万平方米，预计在正式投产后三年内逐步提升产能规模，最终实现满产。

Wolfspeed的300毫米平台具有双重核心定位，实现了面向功率电子器件的高批量碳化硅制造能力，与用于光学和射频系统的高纯度半绝缘衬底先进制备能力的统一整合。

项目落地将进一步完善基本半导体从芯片设计、晶圆制造、封装测试到驱动应用的全产业链布局，特别是在新能源汽车主驱、超充桩等核心应用领域，为下游客户提供更强大的产能保障和技术支持。

50 µΩ 导体电阻的ACS37200在混合动力汽车/电动汽车、工业及数据中心等严苛应用场景中，可将功率损耗减少 90%，系统尺寸缩小高达 95%。

中低压功率器件产业化建设项目总投资53亿元，新征用地约266亩，新建生产调度楼、生产厂房、动力厂房等建筑超8万平方米，达产后将新增年产36万片碳化硅功率器件产能。

据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米eMode硅基氮化镓工艺，首款产品为650V器件。

苏州汇川联合动力系统股份有限公司与英诺赛科共同宣布，双方共同研发的新一代6.6kW氮化镓（GaN）车载充电系统（OBC）已成功在长安汽车量产车型上装车应用。